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PL光致發(fā)光光譜儀應用

更新時間:2017-06-28點擊次數:4878

InGaN/GaN多量子阱的PL譜和EL譜測試

● 樣品提供:KingAbdullahUniversity ofScience and Technology提供的基于藍寶石襯底MOCVD 生長的 InGaNGaN 量子阱

● 測試條件:325nm激發(fā),功率30mW

● 光譜范圍:340-700nm

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